www夜夜骑丨岛国av毛片丨欧美成人免费网址丨无遮挡激情视频国产在线观看丨日本黄网站丨中国国产野外1级毛片视频丨日韩视频在线观看免费视频丨2021年国产精品专区丝袜丨欧美人与动另类xxxx丨天躁夜夜躁2021aa91丨国产三级精品三级男人的天堂丨国产情侣真实54分钟在线丨久久伊人精品一区二区三区丨欧美亚洲在线丨国产呦小j女精品视频丨午夜dv内射一区二区丨全部免费毛片在线播放丨伊人性伊人情综合网丨色婷婷激情五月丨亚洲精品成人a8198a丨久久国产午夜精品理论片34页丨国产主播一区二区丨欧美视频性丨哺乳期av丨茄子视频色

背散射電子（BSE）是由彈性散射產生的。當主電子束中的電子接近樣品中的原子核時，受到原子核中正電荷的作用力，它們的運動軌跡發生了偏離。背散射電子的產率取決于原子核的大小。BSE圖像對比度反應了樣品表面的成分襯度。在這篇博客中，會介紹背散射電子系數，并解釋它是如何受到樣品傾斜度和入射電子束能量的影響。

背散射系數

背散射電子是由入射電子束中入射電子的彈性散射產生的，其能量大于50eV，在飛納電鏡之前的一篇博客中解釋過。背散射電子數量產生取決于許多因素，包括樣品中材料的原子序數和電子束的加速度電壓。

電子束與樣品相互作用產生的背散射電子的數量被稱為背散射系數 η，定義為背散射電流（IBSE）和探針電流（IP）的比值：

其中 EB 是背散射電子的排出能量。背散射系數受加速電壓、原子序數 Z 以及樣品表面與入射電子束的夾角的影響。